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    揭秘半導體制造全流程

    發布日期:2022-03-01

    在晶圓上完成電路圖的光刻后,就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。

    刻蝕的方法主要分為兩種,取決于所使用的物質:使用特定的化學溶液進行化學反應來去除氧化膜的濕法刻蝕,以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。

    濕法刻蝕

    揭秘半導體制造全流程(中篇)

    使用化學溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產率高的優勢。然而,濕法刻蝕具有各向同性的特點,即其速度在任何方向上都是相同的。這會導致掩膜(或敏感膜)與刻蝕后的氧化膜不能完全對齊,因此很難處理非常精細的電路圖。

    干法刻蝕

    干法刻蝕可分為三種不同類型。第一種為化學刻蝕,其使用的是刻蝕氣體(主要是氟化氫)。和濕法刻蝕一樣,這種方法也是各向同性的,這意味著它也不適合用于精細的刻蝕。

    第二種方法是物理濺射,即用等離子體中的離子來撞擊并去除多余的氧化層。作為一種各向異性的刻蝕方法,濺射刻蝕在水平和垂直方向的刻蝕速度是不同的,因此它的精細度也要超過化學刻蝕。但這種方法的缺點是刻蝕速度較慢,因為它完全依賴于離子碰撞引起的物理反應。

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